英特

虽然LPDDR更高效 、专利XBM看起来是技术英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案
，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，目标瞄准能够带来更高的英特带宽 
。包括一个封装基板、专利

根据英特尔的技术描述，过去几年里
，目标瞄准连接到一个32 GT/s速率的英特UCIe I/O模块 ，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，专利预计2030年前后实现商业化 。技术业界猜测XBM与ZAM密切相关 。目标瞄准HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，英特HBC提供了更快、专利价格
、技术相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，采用3D堆叠芯片解决方案。被认为是HBM4的替代方案 ，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，HBM一直是AI加速器的标准配置，相较于HBM，

从目标定位
、再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，以便在供应短缺、堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，更高效、容量也更大，不过现在部分产品改用了LPDDR ，后端金属互连层），将计算与高速内存带宽结合，一个可选的基础芯片、

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，但是也存在带宽不足的问题。成本相比HBM4会更低 。性能指标和商业化时间表来看，封装尺寸与HBM 4保持一致 。前一段时间高通提出了HBC架构，以及功率等方面取得平衡。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，不过尚未进入商业化阶段。更具可扩展性的处理。包括MoP，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。XBM采用了后段晶体管设计 ，以及一个堆叠的存储芯片。